Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2316ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.40 грн
6000+32.68 грн
9000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 37.22 грн до 133.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.40 грн
271+52.10 грн
273+51.79 грн
284+47.93 грн
297+42.51 грн
500+39.02 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.99 грн
15+52.40 грн
25+52.10 грн
50+49.94 грн
100+44.38 грн
250+40.81 грн
500+39.02 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix si2316ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.73 грн
10+81.94 грн
100+55.02 грн
500+40.80 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2316ds.pdf MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+52.40 грн
271+52.10 грн
273+51.79 грн
284+47.93 грн
297+42.51 грн
500+39.02 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.99 грн
15+52.40 грн
25+52.10 грн
50+49.94 грн
100+44.38 грн
250+40.81 грн
500+39.02 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.73 грн
10+81.94 грн
100+55.02 грн
500+40.80 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.