Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2316ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.25 грн
6000+34.35 грн
9000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 24.69 грн до 140.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.20 грн
271+44.94 грн
273+44.67 грн
284+41.34 грн
297+36.67 грн
500+33.66 грн
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.67 грн
15+48.43 грн
25+48.15 грн
50+46.15 грн
100+41.01 грн
250+37.71 грн
500+36.06 грн
1000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2316ds.pdf MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.88 грн
10+83.36 грн
100+52.28 грн
500+41.33 грн
1000+36.85 грн
3000+33.28 грн
6000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2316ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.55 грн
10+86.11 грн
100+57.82 грн
500+42.88 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2316ds.pdf SI2316DS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.10 грн
43+26.12 грн
118+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.