Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2316ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.04 грн
6000+33.25 грн
9000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 19.77 грн до 136.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.31 грн
271+45.05 грн
273+44.78 грн
284+41.44 грн
297+36.76 грн
500+33.74 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.76 грн
15+42.07 грн
25+41.83 грн
50+40.09 грн
100+35.63 грн
250+32.76 грн
500+31.33 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFEACF7E42B3D7&compId=si2316ds.pdf?ci_sign=64f19be8f1f1d21953ac2b194d8b787a604a84f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 16A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.99 грн
15+27.28 грн
25+23.99 грн
43+21.15 грн
118+20.00 грн
500+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFEACF7E42B3D7&compId=si2316ds.pdf?ci_sign=64f19be8f1f1d21953ac2b194d8b787a604a84f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 16A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.39 грн
9+34.00 грн
25+28.78 грн
43+25.38 грн
118+24.00 грн
500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2316ds.pdf MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.15 грн
10+77.92 грн
25+67.68 грн
100+50.47 грн
500+42.23 грн
1000+36.93 грн
3000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2316ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.08 грн
10+83.38 грн
100+55.99 грн
500+41.52 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.