Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2316ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.85 грн
6000+33.09 грн
9000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 31.61 грн до 135.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+54.27 грн
271+53.96 грн
273+53.64 грн
284+49.64 грн
297+44.03 грн
500+40.42 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.03 грн
15+54.27 грн
25+53.96 грн
50+51.72 грн
100+45.96 грн
250+42.27 грн
500+40.42 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2316ds.pdf MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+124.37 грн
10+82.36 грн
100+51.65 грн
500+40.84 грн
1000+36.41 грн
3000+32.88 грн
6000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix si2316ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.40 грн
10+82.96 грн
100+55.71 грн
500+41.31 грн
1000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+54.27 грн
271+53.96 грн
273+53.64 грн
284+49.64 грн
297+44.03 грн
500+40.42 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+59.03 грн
15+54.27 грн
25+53.96 грн
50+51.72 грн
100+45.96 грн
250+42.27 грн
500+40.42 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.37 грн
10+82.36 грн
100+51.65 грн
500+40.84 грн
1000+36.41 грн
3000+32.88 грн
6000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.40 грн
10+82.96 грн
100+55.71 грн
500+41.31 грн
1000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.