Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2316ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.45 грн
6000+34.52 грн
9000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 32.15 грн до 141.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.96 грн
271+45.70 грн
273+45.43 грн
284+42.04 грн
297+37.29 грн
500+34.23 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.56 грн
15+49.24 грн
25+48.96 грн
50+46.93 грн
100+41.70 грн
250+38.35 грн
500+36.67 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2316ds.pdf MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.52 грн
10+83.78 грн
100+52.54 грн
500+41.54 грн
1000+37.04 грн
3000+33.45 грн
6000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2316ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.26 грн
10+86.55 грн
100+58.12 грн
500+43.10 грн
1000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.