Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2316ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.95 грн
6000+33.17 грн
9000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 19.72 грн до 135.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.20 грн
271+44.94 грн
273+44.67 грн
284+41.34 грн
297+36.67 грн
500+33.66 грн
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2316ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.65 грн
15+41.97 грн
25+41.73 грн
50+40.00 грн
100+35.54 грн
250+32.69 грн
500+31.25 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2316ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.87 грн
15+27.22 грн
25+23.93 грн
43+20.95 грн
118+19.80 грн
500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2316ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.24 грн
9+33.92 грн
25+28.71 грн
43+25.14 грн
118+23.76 грн
500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2316ds.pdf MOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 5247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+60.77 грн
100+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2316ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.76 грн
10+83.18 грн
100+55.85 грн
500+41.42 грн
1000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.