Продукція > VISHAY > SI2318CDS-T1-BE3

SI2318CDS-T1-BE3 Vishay


si2318cds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318CDS-T1-BE3 Vishay

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI2318CDS-T1-BE3 за ціною від 5.42 грн до 37.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-T1-BE3 Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.89 грн
14+22.42 грн
50+16.19 грн
100+13.30 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2318cds.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A
на замовлення 181052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3 si2318cds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3 si2318cds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.89 грн
14+22.42 грн
50+16.19 грн
100+13.30 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3 si2318cds.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A
на замовлення 181052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.