Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2318DS-T1-BE3
SI2318DS-T1-BE3

SI2318DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2318ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.42 грн
6000+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2318DS-T1-BE3 за ціною від 11.55 грн до 36.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.94 грн
10+ 27.89 грн
100+ 19.4 грн
500+ 14.21 грн
1000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2318ds.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 75347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.92 грн
10+ 31.09 грн
100+ 20.23 грн
500+ 15.89 грн
1000+ 14.02 грн
3000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2318DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній