Продукція > VISHAY > SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3 Vishay

72322.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318DS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2318DS-T1-E3 за ціною від 10.53 грн до 51.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.69 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.76 грн
20+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2318ds.pdf MOSFETs 40V 6A
на замовлення 211987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.27 грн
11+34.51 грн
100+19.96 грн
500+16.83 грн
1000+15.39 грн
3000+11.35 грн
9000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D9980FE586E0D3&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee36943f6a9337d4aef9556413cc4162c33d9031 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 58mΩ
Power dissipation: 0.75W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D9980FE586E0D3&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee36943f6a9337d4aef9556413cc4162c33d9031 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 58mΩ
Power dissipation: 0.75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.