на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2318DS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI2318DS-T1-E3 за ціною від 10.59 грн до 51.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2318DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 6A |
на замовлення 211987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI2318DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 0.75W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |