SI2318DS-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI2318DS-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 60.18 грн |
| 25+ | 36.05 грн |
| 27+ | 32.75 грн |
| 50+ | 27.41 грн |
| 100+ | 22.54 грн |
| 250+ | 20.15 грн |
| 500+ | 17.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2318DS-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI2318DS-T1-GE3 за ціною від 12.27 грн до 61.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V |
на замовлення 27371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |