SI2318DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 27371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.34 грн |
| 10+ | 33.21 грн |
| 100+ | 19.21 грн |
| 500+ | 15.09 грн |
| 1000+ | 13.86 грн |
| 3000+ | 12.00 грн |
| 6000+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2318DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI2318DS-T1-GE3 за ціною від 16.33 грн до 55.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI2318DS-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFETtariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |