Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2318DS-T1-GE3
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2318ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.39 грн
6000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2318DS-T1-GE3 за ціною від 10.59 грн до 61.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.52 грн
25+20.51 грн
58+15.93 грн
158+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.42 грн
25+25.56 грн
58+19.11 грн
158+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2318ds.pdf MOSFETs 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V
на замовлення 86702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.87 грн
10+36.71 грн
100+21.18 грн
500+16.86 грн
1000+14.92 грн
3000+11.56 грн
9000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2318DS-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.49 грн
23+37.40 грн
25+33.55 грн
50+27.58 грн
100+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+36.36 грн
100+23.48 грн
500+16.82 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay 72322.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.