SI2318HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2318HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI2318HDS-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2318HDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
SI2318HDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.5A; Idm: 20A Mounting: SMD Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 2.9nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 4.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 42mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2318HDS-T1-GE3 | Vishay | SI2318HDS-T1-GE3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2318HDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI2318HDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.5A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 2.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.5A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 2.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI2318HDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
SI2318HDS-T1-GE3
SI2318HDS-T1-GE3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.