Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2319CDS-T1-BE3
SI2319CDS-T1-BE3

SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2319cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-BE3 за ціною від 11.07 грн до 68.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.65 грн
689+20.55 грн
715+19.80 грн
1000+18.48 грн
2500+16.60 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319cd.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 31059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.44 грн
10+33.15 грн
100+20.09 грн
500+15.65 грн
1000+14.03 грн
3000+11.56 грн
6000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.30 грн
10+33.67 грн
100+21.78 грн
500+15.64 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.99 грн
25+42.59 грн
50+35.11 грн
100+25.73 грн
250+21.00 грн
500+18.25 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
409+34.65 грн
689+20.55 грн
715+19.80 грн
1000+18.48 грн
2500+16.60 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 31059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+54.44 грн
10+33.15 грн
100+20.09 грн
500+15.65 грн
1000+14.03 грн
3000+11.56 грн
6000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.30 грн
10+33.67 грн
100+21.78 грн
500+15.64 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+68.99 грн
25+42.59 грн
50+35.11 грн
100+25.73 грн
250+21.00 грн
500+18.25 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.