SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI2319CDS-T1-BE3 за ціною від 12.57 грн до 73.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V |
на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S |
на замовлення 31059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 6929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| SI2319CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.4A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A |
товару немає в наявності |