SI2319CDS-T1-BE3

SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix


si2319cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.74 грн
10+ 30.24 грн
100+ 21.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-BE3 за ціною від 10.85 грн до 44.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2319cd.pdf MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.78 грн
10+ 32.47 грн
100+ 20.38 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 13.72 грн
3000+ 11.72 грн
9000+ 10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.08 грн
25+ 35.86 грн
50+ 31.38 грн
100+ 24.97 грн
250+ 21.13 грн
500+ 18.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній