Продукція > VISHAY > SI2319DDS-T1-BE3

SI2319DDS-T1-BE3 VISHAY


VISH-S-A0023700488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319DDS-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції SI2319DDS-T1-BE3 за ціною від 5.64 грн до 33.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2319DDS-T1-BE3 SI2319DDS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0023700488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3 Vishay Semiconductors si2319dds.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+33.18 грн
14+23.45 грн
100+12.71 грн
500+8.73 грн
1000+7.30 грн
3000+6.55 грн
6000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3 VISH-S-A0023700488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3 si2319dds.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.18 грн
14+23.45 грн
100+12.71 грн
500+8.73 грн
1000+7.30 грн
3000+6.55 грн
6000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.