Продукція > VISHAY > SI2319DS-T1-GE3
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3 VISHAY

si2319ds.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.95 грн
11+38.59 грн
25+30.14 грн
100+27.35 грн
250+23.92 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319DS-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319DS-T1-GE3 за ціною від 27.37 грн до 89.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.74 грн
10+48.09 грн
25+36.17 грн
100+32.82 грн
250+28.71 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 615338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.13 грн
10+54.49 грн
100+32.69 грн
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.