| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 51.29 грн |
| 318+ | 44.78 грн |
| 500+ | 42.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
278 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2319DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI2319DS-T1-GE3 за ціною від 23.44 грн до 97.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V |
на замовлення 592642 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI2319DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.33 грн |
| 10+ | 41.76 грн |
| 25+ | 32.60 грн |
| 37+ | 25.75 грн |
| 101+ | 24.35 грн |
| 500+ | 23.52 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
| SI2319DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
MOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 592642 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.27 грн |
| 10+ | 59.12 грн |
| 100+ | 41.03 грн |
| 3000+ | 40.59 грн |