Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2323CDS-T1-BE3
SI2323CDS-T1-BE3

SI2323CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2323cds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.07 грн
6000+16.86 грн
9000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323CDS-T1-BE3 за ціною від 17.19 грн до 58.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 11033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+36.78 грн
100+23.77 грн
500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2323cds.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
на замовлення 14864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.08 грн
10+35.62 грн
100+19.94 грн
500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.41 грн
6000+17.76 грн
9000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.83 грн
6000+19.12 грн
9000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2323cds.pdf P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2323cds.pdf SI2323CDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.