на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.78 грн |
| 6000+ | 15.15 грн |
| 9000+ | 14.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2323CDS-T1-BE3 Vishay
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2323CDS-T1-BE3 за ціною від 15.96 грн до 71.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2323CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V |
на замовлення 10734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.6A |
на замовлення 13820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2323CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
P-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI2323CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A |
товару немає в наявності |