Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2323CDS-T1-GE3
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2323cds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.02 грн
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2323CDS-T1-GE3 за ціною від 8.81 грн до 95.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.55 грн
630+22.46 грн
637+22.23 грн
814+16.78 грн
1377+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.76 грн
23+34.22 грн
25+33.55 грн
100+21.66 грн
250+19.85 грн
500+14.91 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.22 грн
12+36.65 грн
100+25.37 грн
500+21.04 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+67.19 грн
305+46.47 грн
500+38.55 грн
1000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+45.81 грн
100+30.03 грн
500+21.83 грн
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2323cds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 10569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.52 грн
10+52.69 грн
100+30.10 грн
500+25.66 грн
1000+21.85 грн
3000+19.81 грн
6000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
17+50.98 грн
100+33.47 грн
500+24.13 грн
1000+21.29 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
422+33.55 грн
630+22.46 грн
637+22.23 грн
814+16.78 грн
1377+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+54.76 грн
23+34.22 грн
25+33.55 грн
100+21.66 грн
250+19.85 грн
500+14.91 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+61.22 грн
12+36.65 грн
100+25.37 грн
500+21.04 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
211+67.19 грн
305+46.47 грн
500+38.55 грн
1000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.12 грн
10+45.81 грн
100+30.03 грн
500+21.83 грн
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 10569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.52 грн
10+52.69 грн
100+30.10 грн
500+25.66 грн
1000+21.85 грн
3000+19.81 грн
6000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
17+50.98 грн
100+33.47 грн
500+24.13 грн
1000+21.29 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.