на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2323CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2323CDS-T1-GE3 за ціною від 12.35 грн до 48.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Gate charge: 25nC On-state resistance: 63mΩ Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Gate charge: 25nC On-state resistance: 63mΩ Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 16980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |