на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2323CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2323CDS-T1-GE3 за ціною від 10.85 грн до 83.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 19359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 36607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |