Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2323DDS-T1-BE3
SI2323DDS-T1-BE3

SI2323DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2323dds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.36 грн
6000+13.67 грн
9000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DDS-T1-BE3 за ціною від 9.58 грн до 54.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DDS-T1-BE3 SI2323DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.66 грн
10+38.14 грн
100+25.72 грн
500+18.48 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 SI2323DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2323dds.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.1A
на замовлення 64739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.74 грн
10+39.57 грн
100+22.28 грн
500+17.05 грн
1000+15.39 грн
3000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.69 грн
6000+9.63 грн
9000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.38 грн
6000+10.32 грн
9000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.