SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Технічний опис SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2323DDS-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI2323DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI2323DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2323DDS-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2323DDS-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)