Продукція > VISHAY > SI2323DDS-T1-GE3
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0010743890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.53 грн
250+19.69 грн
500+18.29 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2323DDS-T1-GE3 за ціною від 15.29 грн до 77.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+38.90 грн
434+32.68 грн
500+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.83 грн
50+40.16 грн
100+27.86 грн
500+19.82 грн
1500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2323dds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.80 грн
10+54.44 грн
100+29.40 грн
500+20.32 грн
1000+17.04 грн
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
365+38.90 грн
434+32.68 грн
500+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010743890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+61.83 грн
50+40.16 грн
100+27.86 грн
500+19.82 грн
1500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.80 грн
10+54.44 грн
100+29.40 грн
500+20.32 грн
1000+17.04 грн
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.