SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 52100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.85 грн |
| 6000+ | 16.29 грн |
| 9000+ | 15.08 грн |
| 30000+ | 14.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2323DS-T1-E3 за ціною від 18.12 грн до 56.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
на замовлення 52119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm |
на замовлення 90168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |