Продукція > VISHAY > SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3 Vishay

72024.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DS-T1-E3 за ціною від 15.69 грн до 84.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : VISHAY SI2323DS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.25 грн
25+22.75 грн
45+19.73 грн
124+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : VISHAY SI2323DS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.90 грн
25+28.35 грн
45+23.67 грн
124+22.40 грн
3000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.54 грн
299+40.83 грн
500+39.35 грн
1000+36.71 грн
2500+32.99 грн
5000+30.82 грн
10000+30.06 грн
25000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.19 грн
238+51.20 грн
500+35.70 грн
1000+31.53 грн
3000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 3.7A 0.039Ohm
на замовлення 54862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.49 грн
10+53.16 грн
100+31.57 грн
500+24.38 грн
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3
Код товару: 207640
Додати до обраних Обраний товар

si2323ds.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.