Продукція > VISHAY > SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3 Vishay

72024.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DS-T1-E3 за ціною від 15.73 грн до 85.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 68mΩ
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.64 грн
25+23.07 грн
46+20.00 грн
125+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 68mΩ
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.36 грн
25+28.74 грн
46+24.00 грн
125+22.71 грн
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.64 грн
299+40.93 грн
500+39.45 грн
1000+36.80 грн
2500+33.07 грн
5000+30.89 грн
10000+30.13 грн
25000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.43 грн
500+41.00 грн
1000+37.02 грн
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 3.7A 0.039Ohm
на замовлення 54862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.66 грн
10+53.89 грн
100+32.00 грн
500+24.72 грн
3000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3
Код товару: 207640
Додати до обраних Обраний товар

si2323ds.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.