на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2323DS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2323DS-T1-E3 за ціною від 23.08 грн до 131.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 3.7A 0.039Ohm |
на замовлення 54862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
SI2323DS-T1-E3 Код товару: 207640
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |