Продукція > VISHAY > SI2323DS-T1-GE3
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3 Vishay

72024.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DS-T1-GE3 за ціною від 19.90 грн до 99.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.71 грн
10+53.63 грн
100+36.38 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+93.15 грн
199+64.22 грн
3000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
на замовлення 155568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+58.03 грн
100+34.25 грн
500+26.45 грн
1000+24.01 грн
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.84 грн
10+98.85 грн
100+68.15 грн
3000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay 72024.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.