Продукція > VISHAY > SI2323DS-T1-GE3
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3 Vishay

72024.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DS-T1-GE3 за ціною від 19.85 грн до 91.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+57.69 грн
314+39.10 грн
317+38.71 грн
500+31.13 грн
1000+27.35 грн
3000+22.06 грн
6000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.54 грн
10+50.46 грн
25+45.12 грн
37+26.07 грн
100+24.63 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.71 грн
12+53.60 грн
100+36.32 грн
250+34.67 грн
500+26.78 грн
1000+24.39 грн
3000+20.50 грн
6000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.45 грн
10+62.88 грн
25+54.15 грн
37+31.28 грн
100+29.56 грн
1000+29.18 грн
3000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.27 грн
10+52.14 грн
100+35.36 грн
500+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
на замовлення 155568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.07 грн
10+56.42 грн
100+33.29 грн
500+25.71 грн
1000+23.34 грн
3000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay 72024.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.