Продукція > VISHAY > SI2323DS-T1-GE3
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3 Vishay


si2323ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+78.48 грн
264+52.94 грн
500+43.67 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DS-T1-GE3 за ціною від 16.47 грн до 103.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
на замовлення 155568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.57 грн
10+51.15 грн
100+30.18 грн
500+23.31 грн
1000+21.16 грн
3000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.10 грн
10+79.02 грн
100+53.31 грн
500+42.41 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SI2323DS_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 39 мОм @ 4,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.