Продукція > VISHAY > SI2323DS-T1-GE3
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3 Vishay

72024.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2323DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2323DS-T1-GE3 за ціною від 18.65 грн до 95.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.04 грн
10+50.10 грн
25+44.80 грн
36+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.85 грн
10+62.43 грн
25+53.76 грн
36+31.06 грн
99+29.35 грн
1000+28.97 грн
3000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.66 грн
10+51.76 грн
100+35.11 грн
500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+88.86 грн
199+61.26 грн
3000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
на замовлення 155568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.42 грн
10+56.01 грн
100+33.05 грн
500+25.53 грн
1000+23.17 грн
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.24 грн
10+94.30 грн
100+65.01 грн
3000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2323ds.pdf P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay 72024.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.