Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2324DS-T1-BE3
SI2324DS-T1-BE3

SI2324DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2324ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.91 грн
6000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2324DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI2324DS-T1-BE3 за ціною від 12.51 грн до 44.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2324DS-T1-BE3 SI2324DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2324ds.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
11+33.76 грн
100+22.95 грн
500+19.27 грн
1000+16.04 грн
3000+13.54 грн
9000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3 SI2324DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2324ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.57 грн
10+36.40 грн
100+25.30 грн
500+18.54 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.