Продукція > VISHAY > SI2324DS-T1-GE3
SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3 Vishay

si2324ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2324DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2324DS-T1-GE3 за ціною від 12.20 грн до 54.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2324ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.22 грн
6000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.49 грн
9000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.53 грн
6000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.20 грн
6000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.49 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2324ds.pdf Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.64 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2324ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.26 грн
14+21.62 грн
100+18.13 грн
500+16.33 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2324ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.59 грн
13+29.33 грн
50+23.81 грн
53+16.93 грн
144+16.03 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2324ds.pdf Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.54 грн
50+33.70 грн
100+24.99 грн
500+18.97 грн
1500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2324ds.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 189524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.26 грн
10+33.71 грн
100+21.70 грн
500+17.78 грн
1000+15.53 грн
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2324ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.70 грн
8+36.55 грн
50+28.57 грн
53+20.32 грн
144+19.23 грн
500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2324ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.