SI2325DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 51975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 117.33 грн |
| 10+ | 72.89 грн |
| 100+ | 42.21 грн |
| 500+ | 33.06 грн |
| 1000+ | 30.17 грн |
| 3000+ | 24.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2325DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SI2325DS-T1-BE3 за ціною від 32.73 грн до 120.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2325DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI2325DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI2325DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
SI2325DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |

