Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2325DS-T1-BE3
SI2325DS-T1-BE3

SI2325DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

73238.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.27 грн
10+ 50.28 грн
100+ 39.1 грн
500+ 31.1 грн
1000+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2325DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SI2325DS-T1-BE3 за ціною від 29.98 грн до 70.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix 73238.pdf MOSFET P-CHANNEL 150-V (D-S)
на замовлення 53475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.26 грн
10+ 56.51 грн
100+ 38.25 грн
500+ 35.32 грн
3000+ 29.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2325DS-T1-BE3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2325DS-T1-BE3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix 73238.pdf Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній