Продукція > VISHAY SILICONIX > Si2325DS-T1-E3
Si2325DS-T1-E3

Si2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix

73238.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.90 грн
6000+24.97 грн
9000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції Si2325DS-T1-E3 за ціною від 27.72 грн до 104.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.40 грн
6000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.55 грн
6000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+89.07 грн
10+61.15 грн
25+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 Si2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73238.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 11147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.63 грн
10+60.77 грн
100+42.63 грн
500+31.53 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 Si2325DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 73238.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 40961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.98 грн
10+69.35 грн
100+43.03 грн
500+34.76 грн
1000+31.28 грн
3000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 Виробник : VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.