на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2325DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI2325DS-T1-GE3 за ціною від 23.03 грн до 78.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 750mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 20568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 11256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; 0.48W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 1.3Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.48W Drain current: -0.43A Drain-source voltage: -150V Polarisation: unipolar Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; 0.48W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 1.3Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.48W Drain current: -0.43A Drain-source voltage: -150V Polarisation: unipolar Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |