на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2328DS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI2328DS-T1-E3 за ціною від 14.81 грн до 82.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V |
на замовлення 9726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 26348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI2328DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A Kind of package: reel; tape Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI2328DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A Kind of package: reel; tape Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V |
товар відсутній |