Продукція > VISHAY > SI2328DS-T1-GE3
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3 Vishay

si2328ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2328DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2328DS-T1-GE3 за ціною від 13.21 грн до 70.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.17 грн
9000+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.92A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+22.69 грн
25+ 19.19 грн
57+ 14.6 грн
155+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.92A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 717 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.23 грн
25+ 23.92 грн
57+ 17.52 грн
155+ 15.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.87 грн
500+ 22.88 грн
1500+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
212+55.27 грн
213+ 54.98 грн
304+ 38.55 грн
307+ 36.8 грн
500+ 28.84 грн
1000+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 212
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+55.42 грн
50+ 47.18 грн
100+ 38.87 грн
500+ 22.88 грн
1500+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.61 грн
10+ 46.11 грн
100+ 31.93 грн
500+ 25.04 грн
1000+ 21.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.12 грн
12+ 51.32 грн
25+ 51.05 грн
100+ 34.52 грн
250+ 31.64 грн
500+ 25.7 грн
1000+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2328ds.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 17730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.37 грн
10+ 58.35 грн
100+ 34.65 грн
500+ 28.91 грн
1000+ 24.63 грн
3000+ 22.3 грн
6000+ 20.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
167+70.32 грн
168+ 70.02 грн
239+ 49.04 грн
252+ 44.79 грн
500+ 36.68 грн
1000+ 30.78 грн
Мінімальне замовлення: 167