Продукція > VISHAY > SI2328DS-T1-GE3
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3 Vishay

si2328ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2328DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2328DS-T1-GE3 за ціною від 14.66 грн до 91.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+33.93 грн
19+33.47 грн
25+33.00 грн
100+31.37 грн
250+28.64 грн
500+27.09 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.66 грн
9000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.87 грн
500+34.47 грн
1500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.87 грн
10+46.64 грн
100+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.16 грн
50+55.60 грн
100+40.87 грн
500+34.47 грн
1500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.36 грн
50+43.09 грн
58+15.57 грн
157+14.74 грн
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2328ds.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 21687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.89 грн
10+56.33 грн
100+34.61 грн
500+27.58 грн
1000+25.25 грн
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.63 грн
50+53.69 грн
58+18.69 грн
157+17.69 грн
3000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.