Продукція > VISHAY > SI2328DS-T1-GE3
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3 Vishay

si2328ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2328DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2328DS-T1-GE3 за ціною від 18.57 грн до 71.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.23 грн
9000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.63 грн
25+34.09 грн
100+32.34 грн
250+29.47 грн
500+27.82 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+34.71 грн
361+34.21 грн
367+33.70 грн
372+32.01 грн
500+29.19 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.07 грн
500+36.98 грн
1500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.81 грн
10+48.97 грн
100+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2328ds.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.46 грн
10+52.92 грн
100+34.51 грн
500+31.92 грн
1000+31.16 грн
3000+25.52 грн
6000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.86 грн
50+57.35 грн
100+43.07 грн
500+36.98 грн
1500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
58+19.62 грн
158+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.