Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2328DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI2328DS-T1-GE3 за ціною від 26.58 грн до 145.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2328DS-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2328DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.92A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2362 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2328DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2328DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI2328DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.37 грн |
| SI2328DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 177+ | 79.95 грн |
| 197+ | 71.78 грн |
| 500+ | 58.48 грн |
| 1000+ | 49.41 грн |
| 1500+ | 42.92 грн |
| SI2328DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 85.69 грн |
| 10+ | 58.24 грн |
| 50+ | 44.19 грн |
| 100+ | 39.70 грн |
| 500+ | 32.34 грн |
| 1000+ | 28.27 грн |
| 1500+ | 26.58 грн |
| SI2328DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.42 грн |
| 10+ | 75.42 грн |
| SI2328DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 145.53 грн |