Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2329DS-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2329ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.83 грн
6000+14.92 грн
9000+14.27 грн
15000+12.70 грн
21000+12.29 грн
30000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI2329DS-T1-GE3 за ціною від 13.22 грн до 68.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2329ds.pdf MOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 34321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.86 грн
11+30.17 грн
100+22.29 грн
500+18.43 грн
1000+15.96 грн
3000+14.21 грн
6000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY SI2329DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 11.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.55 грн
11+39.87 грн
50+28.70 грн
100+25.14 грн
250+21.42 грн
500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 89176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.83 грн
10+41.52 грн
100+27.01 грн
500+19.49 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 34321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.86 грн
11+30.17 грн
100+22.29 грн
500+18.43 грн
1000+15.96 грн
3000+14.21 грн
6000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 11.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+66.55 грн
11+39.87 грн
50+28.70 грн
100+25.14 грн
250+21.42 грн
500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 89176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.83 грн
10+41.52 грн
100+27.01 грн
500+19.49 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.