Продукція > VISHAY > SI2329DS-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3 Vishay

si2329ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2329DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI2329DS-T1-GE3 за ціною від 12.5 грн до 47.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2329ds.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
316+37.04 грн
320+ 36.67 грн
462+ 25.38 грн
466+ 24.23 грн
746+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 316
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.28 грн
10+ 31.57 грн
100+ 21.89 грн
500+ 17.16 грн
1000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2329ds.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.35 грн
17+ 34.98 грн
25+ 34.39 грн
50+ 32.84 грн
100+ 21.04 грн
250+ 20 грн
500+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2329ds.pdf MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 98368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.28 грн
10+ 31.32 грн
100+ 21.16 грн
500+ 17.69 грн
1000+ 15.09 грн
3000+ 13.49 грн
6000+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS84989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 53257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.71 грн
19+ 40.07 грн
100+ 29.43 грн
500+ 23.44 грн
1000+ 17.27 грн
3000+ 15.98 грн
6000+ 15.02 грн
12000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2329ds.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2329DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2329ds.pdf Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET 27AK0994
товар відсутній
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2329DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
товар відсутній
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2329DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Mounting: SMD
Case: SOT23
товар відсутній