на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1274+ | 9.56 грн |
| 1316+ | 9.25 грн |
| 2500+ | 8.97 грн |
| 5000+ | 8.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2329DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2329DS-T1-GE3 за ціною від 13.80 грн до 57.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23 |
на замовлення 47934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V |
на замовлення 4603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 35980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |