Технічний опис SI2329DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2329DS-T1-GE3 за ціною від 12.03 грн до 69.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 1.6W Gate charge: 11.8nC Polarisation: unipolar Drain current: -6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -8V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±5V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 30mΩ |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V |
на замовлення 80711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23 |
на замовлення 34321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI2329DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.02 грн |
| 6000+ | 15.09 грн |
| 9000+ | 14.43 грн |
| 15000+ | 12.84 грн |
| 21000+ | 12.43 грн |
| 30000+ | 12.03 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.22 грн |
| 6000+ | 15.32 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.99 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.72 грн |
| 12000+ | 28.06 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.86 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 65.78 грн |
| 11+ | 39.41 грн |
| 50+ | 28.37 грн |
| 100+ | 24.85 грн |
| 250+ | 21.17 грн |
| 500+ | 20.92 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 80711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.60 грн |
| 10+ | 41.95 грн |
| 100+ | 27.32 грн |
| 500+ | 19.72 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23
MOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 34321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2329DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)