Продукція > VISHAY > SI2333CDS-T1-E3
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3 Vishay


si2333cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333CDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333CDS-T1-E3 за ціною від 11.88 грн до 67.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.54 грн
6000+17.30 грн
9000+16.44 грн
15000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.76 грн
6000+20.87 грн
9000+20.00 грн
15000+18.34 грн
21000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333cd.pdf Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.11 грн
25+42.83 грн
50+36.40 грн
100+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.87 грн
12+34.82 грн
43+22.01 грн
100+21.93 грн
116+20.75 грн
500+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 33627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.59 грн
10+39.54 грн
100+28.45 грн
500+23.30 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333cd.pdf MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
на замовлення 75568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.18 грн
10+42.96 грн
25+33.35 грн
100+26.64 грн
250+26.49 грн
500+24.37 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.04 грн
10+43.39 грн
43+26.41 грн
100+26.32 грн
116+24.90 грн
500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.