SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix


si2333cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.78 грн
6000+16.71 грн
9000+16.01 грн
15000+14.28 грн
21000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2333CDS-T1-E3 за ціною від 14.54 грн до 95.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333cd.pdf MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
на замовлення 65328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.19 грн
10+40.94 грн
100+25.31 грн
500+21.27 грн
1000+19.21 грн
3000+14.95 грн
9000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 35572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.86 грн
10+45.18 грн
100+29.66 грн
500+21.56 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY 2049692.pdf Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.23 грн
25+54.74 грн
50+45.46 грн
100+33.37 грн
250+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+95.93 грн
500+60.38 грн
1000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333cd.pdf SI2333CDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.10 грн
42+27.65 грн
115+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.