на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333CDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2333CDS-T1-E3 за ціною від 15.82 грн до 95.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V |
на замовлення 65328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V |
на замовлення 19197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2333CDS-T1-E3 |
|
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |