Продукція > VISHAY > SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3 Vishay

si2333cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333CDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333CDS-T1-GE3 за ціною від 15.60 грн до 88.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.51 грн
6000+18.25 грн
9000+17.48 грн
15000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+34.61 грн
474+26.26 грн
479+26.00 грн
575+20.87 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.23 грн
19+37.45 грн
25+37.08 грн
100+27.13 грн
250+24.87 грн
500+19.87 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.96 грн
11+40.35 грн
100+27.01 грн
500+21.03 грн
1000+19.17 грн
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
10+50.29 грн
100+32.41 грн
500+25.23 грн
1000+23.00 грн
3000+20.18 грн
6000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 16230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.30 грн
10+49.41 грн
100+32.40 грн
500+23.55 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333cd.pdf MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
на замовлення 22735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.04 грн
10+54.28 грн
100+30.98 грн
500+24.07 грн
1000+21.74 грн
3000+18.86 грн
6000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3
Код товару: 183755
Додати до обраних Обраний товар

si2333cd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.