Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2333cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 11095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.74 грн
6000+16.67 грн
9000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333CDS-T1-GE3 за ціною від 15.33 грн до 77.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+35.67 грн
474+27.06 грн
479+26.80 грн
575+21.51 грн
1000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.71 грн
19+38.60 грн
25+38.22 грн
100+27.96 грн
250+25.64 грн
500+20.48 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 11095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.69 грн
10+45.08 грн
100+29.59 грн
500+21.51 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333cd.pdf MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
на замовлення 22735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.61 грн
10+47.85 грн
100+27.31 грн
500+21.22 грн
1000+19.16 грн
3000+16.63 грн
6000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3
Код товару: 183755
Додати до обраних Обраний товар

si2333cd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.