Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

si2333cd.pdf
Код товару: 183755
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2333CDS-T1-GE3 за ціною від 16.45 грн до 85.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.30 грн
6000+17.17 грн
9000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.09 грн
357+39.69 грн
431+32.85 грн
435+31.36 грн
502+25.20 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.59 грн
19+40.09 грн
25+39.69 грн
100+31.68 грн
250+29.04 грн
500+24.19 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.80 грн
307+46.07 грн
374+37.89 грн
500+32.33 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.01 грн
10+47.26 грн
25+36.82 грн
100+25.45 грн
250+20.87 грн
500+18.50 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 10970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+46.42 грн
100+30.47 грн
500+22.15 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2333cd.pdf MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.52 грн
10+52.69 грн
100+30.10 грн
500+23.33 грн
1000+21.14 грн
3000+18.33 грн
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.30 грн
6000+17.17 грн
9000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
353+40.09 грн
357+39.69 грн
431+32.85 грн
435+31.36 грн
502+25.20 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+47.59 грн
19+40.09 грн
25+39.69 грн
100+31.68 грн
250+29.04 грн
500+24.19 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
212+66.80 грн
307+46.07 грн
374+37.89 грн
500+32.33 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+74.01 грн
10+47.26 грн
25+36.82 грн
100+25.45 грн
250+20.87 грн
500+18.50 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 10970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.91 грн
10+46.42 грн
100+30.47 грн
500+22.15 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.52 грн
10+52.69 грн
100+30.10 грн
500+23.33 грн
1000+21.14 грн
3000+18.33 грн
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.