SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.09 грн |
| 6000+ | 16.98 грн |
| 9000+ | 16.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2333CDS-T1-GE3 за ціною від 16.25 грн до 79.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V |
на замовлення 10970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V |
на замовлення 9652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2333CDS-T1-GE3 Код товару: 183755
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |