SI2333DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.48 грн |
| 6000+ | 10.12 грн |
| 9000+ | 9.64 грн |
| 15000+ | 8.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2333DDS-T1-BE3 за ціною від 9.59 грн до 54.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2333DDS-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V |
на замовлення 19767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2333DDS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 P-CH 12V 5A |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI2333DDS-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 19767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.16 грн |
| 11+ | 29.40 грн |
| 100+ | 18.88 грн |
| 500+ | 13.48 грн |
| 1000+ | 12.11 грн |
| SI2333DDS-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P-CH 12V 5A
MOSFETs SOT23 P-CH 12V 5A
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.44 грн |
| 10+ | 33.31 грн |
| 100+ | 18.68 грн |
| 500+ | 14.17 грн |
| 1000+ | 12.76 грн |
| 3000+ | 10.57 грн |
| 6000+ | 9.59 грн |