Продукція > VISHAY > SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

si2333dds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333DDS-T1-GE3 за ціною від 6.98 грн до 28.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.97 грн
6000+ 8.2 грн
9000+ 7.61 грн
30000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 35nC
Drain current: -5.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+19.87 грн
25+ 15.75 грн
71+ 11.43 грн
193+ 10.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 35nC
Drain current: -5.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.85 грн
25+ 19.62 грн
71+ 13.72 грн
193+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 31184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.65 грн
13+ 21.92 грн
100+ 15.23 грн
500+ 11.15 грн
1000+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333dds.pdf MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 141455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.9 грн
13+ 24.35 грн
100+ 14.72 грн
500+ 11.52 грн
1000+ 9.32 грн
3000+ 8.32 грн
9000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf P-MOSFET 12V 6A 1.2W SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній