Продукція > VISHAY > SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

si2333dds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1270+9.61 грн
5000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 1270
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2333DDS-T1-GE3 за ціною від 7.94 грн до 47.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.99 грн
6000+9.27 грн
9000+8.97 грн
15000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.43 грн
39000+14.10 грн
78000+13.12 грн
117000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.27 грн
18000+14.87 грн
27000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333dds.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 131348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.95 грн
16+21.15 грн
100+14.79 грн
500+12.73 грн
1000+10.30 грн
3000+8.75 грн
9000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.17 грн
15+27.36 грн
71+12.64 грн
195+11.95 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.00 грн
10+34.09 грн
71+15.17 грн
195+14.35 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 17251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
12+27.66 грн
100+17.74 грн
500+12.62 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.54 грн
50+31.44 грн
100+21.29 грн
500+15.25 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.