SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.38 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI2333DDS-T1-GE3 за ціною від 13.05 грн до 13.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 150339 шт: термін постачання 281-290 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI2333DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SI2333DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 150339 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
| SI2333DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2333DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2333DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.05 грн |