SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.78 грн |
| 6000+ | 9.35 грн |
| 9000+ | 8.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2333DDS-T1-GE3 за ціною від 8.81 грн до 50.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V |
на замовлення 14087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 23580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |