Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2333DS-T1-BE3
SI2333DS-T1-BE3

SI2333DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2333ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333DS-T1-BE3 за ціною від 25.43 грн до 94.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333DS-T1-BE3 SI2333DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2333ds.pdf MOSFETs 12V P-CHANNEL (D-S)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.36 грн
10+52.91 грн
100+35.85 грн
500+34.47 грн
3000+29.32 грн
6000+28.66 грн
9000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-BE3 SI2333DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.20 грн
10+57.52 грн
100+38.13 грн
500+27.95 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.