Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI2333DS-T1-E3
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3 Vishay Semiconductors

si2333ds.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.00 грн
10+58.39 грн
100+35.43 грн
500+29.24 грн
1000+26.26 грн
3000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DS-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333DS-T1-E3 за ціною від 33.97 грн до 99.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.11 грн
10+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333ds.pdf SI2333DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.08 грн
32+35.98 грн
86+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.