SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 39854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.95 грн |
| 6000+ | 19.11 грн |
| 9000+ | 17.69 грн |
| 30000+ | 16.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2333DS-T1-E3 за ціною від 20.31 грн до 59.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V |
на замовлення 42392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V |
на замовлення 139080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI2333DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Drain current: -5.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 59mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI2333DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Drain current: -5.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 59mΩ |
товар відсутній |