Продукція > VISHAY > SI2333DS-T1-E3
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3 VISHAY

si2333ds.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.80 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DS-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333DS-T1-E3 за ціною від 22.42 грн до 94.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.36 грн
10+58.12 грн
25+49.16 грн
32+34.29 грн
86+32.38 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333ds.pdf MOSFETs 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.64 грн
10+55.50 грн
100+33.67 грн
500+27.79 грн
1000+24.96 грн
3000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.20 грн
10+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.