SI2336DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.63 грн |
| 6000+ | 10.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2336DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2336DS-T1-BE3 за ціною від 9.78 грн до 32.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2336DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
на замовлення 6338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S) |
на замовлення 96978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|