на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2336DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2336DS-T1-GE3 за ціною від 8.71 грн до 46.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 81693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 80847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 46357 шт: термін постачання 611-620 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 Код товару: 165959 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
товару немає в наявності |