Продукція > VISHAY > SI2336DS-T1-GE3
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3 Vishay


si2336ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2336DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2336DS-T1-GE3 за ціною від 8.71 грн до 46.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.36 грн
9000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.26 грн
9000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2336ds.pdf Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.23 грн
500+15.09 грн
1500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+34.75 грн
33+23.99 грн
100+18.34 грн
500+14.52 грн
1000+11.54 грн
5000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2336ds-1765584.pdf MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 46357 шт:
термін постачання 611-620 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.66 грн
10+36.02 грн
100+23.39 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+46.72 грн
110+9.23 грн
301+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2336DS-T1-GE3
Код товару: 165959
si2336ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
товару немає в наявності
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
товару немає в наявності