на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2336DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2336DS-T1-GE3 за ціною від 9.53 грн до 51.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
на замовлення 17350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 74544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
на замовлення 17360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 74480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 46357 шт: термін постачання 611-620 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI2336DS-T1-GE3 Код товару: 165959
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|