Продукція > VISHAY > SI2336DS-T1-GE3
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3 Vishay

si2336ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2336DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2336DS-T1-GE3 за ціною від 8.05 грн до 32.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.26 грн
6000+10.93 грн
9000+10.51 грн
15000+9.92 грн
21000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.06 грн
6000+11.71 грн
9000+11.26 грн
15000+10.63 грн
21000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.65 грн
6000+11.59 грн
9000+10.77 грн
15000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.45 грн
500+16.66 грн
1000+13.77 грн
5000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.81 грн
24+17.13 грн
100+13.74 грн
110+8.45 грн
301+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.57 грн
14+21.35 грн
100+16.49 грн
110+10.14 грн
301+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.63 грн
35+24.32 грн
100+20.75 грн
500+15.16 грн
1000+12.61 грн
5000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2336ds.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.72 грн
15+24.76 грн
100+18.04 грн
500+15.16 грн
1000+13.72 грн
3000+10.61 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.80 грн
13+24.56 грн
100+19.68 грн
500+15.90 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3
Код товару: 165959
Додати до обраних Обраний товар

si2336ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.