SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.59 грн |
| 6000+ | 24.39 грн |
| 9000+ | 23.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI2337DS-T1-E3 за ціною від 25.53 грн до 74.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 58055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V |
на замовлення 19458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 100353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2.2A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2.2A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |