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Технічний опис SI2337DS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2337DS-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI2337DS-T1-E3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI2337DS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI2337DS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2723 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2337DS-T1-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2337DS-T1-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236
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Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2337DS-T1-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)