SI2337DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.78 грн |
| 10+ | 55.21 грн |
| 100+ | 42.97 грн |
| 500+ | 34.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2337DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI2337DS-T1-GE3 за ціною від 25.37 грн до 100.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2337DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2337DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2337DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 11975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2337DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI2337DS-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SI2337DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 84.06 грн |
| 10+ | 54.55 грн |
| 50+ | 45.98 грн |
| 100+ | 42.42 грн |
| SI2337DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 169+ | 84.09 грн |
| 183+ | 77.49 грн |
| SI2337DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 11975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.32 грн |
| 10+ | 59.25 грн |
| 100+ | 39.89 грн |
| 250+ | 39.82 грн |
| 500+ | 32.07 грн |
| 1000+ | 27.98 грн |
| 3000+ | 25.37 грн |
| SI2337DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2337DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.35 грн |