Продукція > VISHAY > SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2337DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 9415870-5
Price: 86880 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	28.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2337DS-T1-GE3 за ціною від 24.61 грн до 115.13 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	29.47 грн
6000+	27.71 грн
12000+	27.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	31.13 грн
6000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	36.06 грн
9000+	35.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	47.87 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 18268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	51.21 грн
500+	36.00 грн
1000+	30.91 грн
5000+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
222+	55.26 грн
250+	53.04 грн

Мінімальне замовлення: 222

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
193+	63.53 грн
243+	50.53 грн
500+	39.90 грн
1000+	36.06 грн
3000+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 193

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V

на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	71.83 грн
10+	56.83 грн
100+	44.23 грн
500+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	86.83 грн
11+	59.34 грн
100+	47.19 грн
500+	35.93 грн
1000+	31.18 грн
3000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 11975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	107.41 грн
10+	63.44 грн
100+	42.71 грн
250+	42.64 грн
500+	34.33 грн
1000+	29.96 грн
3000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 17763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	115.13 грн
12+	72.12 грн
100+	51.21 грн
500+	36.00 грн
1000+	30.91 грн
5000+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	55.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	107.07 грн
31+	36.13 грн
85+	34.15 грн
3000+	34.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2337DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.