Продукція > VISHAY > SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3 Vishay

si2337ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2337DS-T1-GE3 за ціною від 24.49 грн до 97.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.33 грн
6000+27.57 грн
12000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2337ds.pdf Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.63 грн
9000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.98 грн
6000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2337ds.pdf Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.77 грн
500+44.30 грн
1500+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008073331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.08 грн
100+40.05 грн
500+30.46 грн
1000+26.65 грн
5000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+54.99 грн
250+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+63.23 грн
243+50.28 грн
500+39.70 грн
1000+35.88 грн
3000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2337ds.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 28186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.97 грн
10+54.08 грн
100+35.70 грн
500+31.57 грн
1000+27.43 грн
3000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.08 грн
10+54.65 грн
100+42.53 грн
500+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.40 грн
10+52.46 грн
31+28.80 грн
85+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+86.41 грн
11+59.05 грн
100+46.96 грн
500+35.75 грн
1000+31.03 грн
3000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+97.69 грн
10+65.37 грн
31+34.56 грн
85+32.65 грн
3000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.