Продукція > VISHAY > SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3 Vishay

si2337ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+32.43 грн
47+14.90 грн
48+14.66 грн
49+13.90 грн
50+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2337DS-T1-GE3 за ціною від 27.35 грн до 124.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.99 грн
9000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.59 грн
500+38.31 грн
1500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+57.22 грн
100+44.54 грн
500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.24 грн
10+54.93 грн
31+30.39 грн
50+30.31 грн
85+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.28 грн
10+68.45 грн
31+36.47 грн
50+36.38 грн
85+34.48 грн
3000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2337ds.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 11975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+63.87 грн
100+43.01 грн
250+42.93 грн
500+34.57 грн
1000+30.16 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.44 грн
50+78.84 грн
100+52.59 грн
500+38.31 грн
1500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.