Продукція > VISHAY > SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3 VISHAY

Name: SI2338DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 13640239-6
Price: 32460.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.82 грн
9000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2338DS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2338DS-T1-GE3 за ціною від 11.18 грн до 50.72 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	19.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
606+	20.10 грн
629+	19.37 грн
1000+	18.74 грн
2500+	17.53 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V

на замовлення 5664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	39.45 грн
10+	32.05 грн
100+	22.29 грн
500+	16.33 грн
1000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	40.06 грн
12+	33.24 грн
50+	23.51 грн
67+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	48.07 грн
8+	41.42 грн
50+	28.21 грн
67+	16.72 грн
184+	15.86 грн
1000+	15.67 грн
1500+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	50.72 грн
50+	37.76 грн
100+	26.25 грн
500+	18.68 грн
1500+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 15678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2338DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.