
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2338DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2338DS-T1-GE3 за ціною від 11.90 грн до 62.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V |
на замовлення 5664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 26950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 28mΩ Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 28mΩ Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 15678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |