SI2338DS-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.73 грн |
| 9000+ | 10.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2338DS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2338DS-T1-GE3 за ціною від 11.34 грн до 50.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V |
на замовлення 5664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 26229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 15678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |