Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI2342DS-T1-BE3
SI2342DS-T1-BE3

SI2342DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si2342ds.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N CHAN 8V
на замовлення 61782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.06 грн
11+34.29 грн
100+22.27 грн
500+17.51 грн
1000+13.51 грн
3000+12.30 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2342DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI2342DS-T1-BE3 за ціною від 14.71 грн до 58.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2342DS-T1-BE3 SI2342DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.79 грн
10+35.39 грн
100+22.85 грн
500+16.35 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-BE3 SI2342DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-BE3 SI2342DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.