
SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.92 грн |
6000+ | 10.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2342DS-T1-GE3 за ціною від 11.55 грн до 45.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 154649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23 Drain-source voltage: 8V Drain current: 6A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V |
на замовлення 7829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23 Drain-source voltage: 8V Drain current: 6A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 Код товару: 86440
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |