Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2342DS-T1-GE3
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

si2342ds.pdf
Код товару: 86440
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2342DS-T1-GE3 за ціною від 11.11 грн до 56.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
9000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.99 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.99 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 15.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 8V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 30A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.41 грн
12+35.81 грн
50+24.96 грн
100+21.27 грн
500+15.38 грн
1000+13.62 грн
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 118191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+33.51 грн
50+24.51 грн
100+20.28 грн
500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2342ds.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 110751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.20 грн
9000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.99 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.99 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 15.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 8V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 30A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.41 грн
12+35.81 грн
50+24.96 грн
100+21.27 грн
500+15.38 грн
1000+13.62 грн
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 118191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.56 грн
10+33.51 грн
50+24.51 грн
100+20.28 грн
500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 110751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.