Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2342DS-T1-GE3
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2342ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.14 грн
6000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2342DS-T1-GE3 за ціною від 11.32 грн до 46.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.87 грн
6000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.86 грн
6000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.06 грн
500+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.68 грн
16+25.92 грн
50+21.39 грн
67+13.74 грн
185+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 7829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.92 грн
12+26.23 грн
100+20.95 грн
500+14.99 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.23 грн
50+30.69 грн
100+25.06 грн
500+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2342ds.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 110751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.86 грн
12+30.69 грн
100+21.81 грн
500+16.56 грн
1000+14.54 грн
3000+11.92 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.41 грн
10+32.30 грн
50+25.67 грн
67+16.49 грн
185+15.55 грн
1500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3
Код товару: 86440
Додати до обраних Обраний товар

si2342ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.