на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2342DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2342DS-T1-GE3 за ціною від 11.47 грн до 45.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SOT-23 |
на замовлення 110751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI2342DS-T1-GE3 Код товару: 86440
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2342DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |