на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2343CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2343CDS-T1-GE3 за ціною від 12.80 грн до 56.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -25A Drain current: -5.9A Gate charge: 21nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
на замовлення 8043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 26018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -25A Drain current: -5.9A Gate charge: 21nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|