| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.38 грн |
| 6000+ | 18.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2343CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Інші пропозиції SI2343CDS-T1-GE3 за ціною від 15.79 грн до 88.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 121 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI2343CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 4213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.50 грн |
| 6000+ | 18.71 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.30 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.96 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.48 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 549+ | 26.72 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 469+ | 31.30 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 358+ | 41.01 грн |
| 500+ | 33.77 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 64.92 грн |
| 15+ | 30.22 грн |
| 25+ | 27.51 грн |
| 50+ | 25.56 грн |
| 59+ | 16.64 грн |
| 161+ | 15.79 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.65 грн |
| 10+ | 39.89 грн |
| 50+ | 29.31 грн |
| 100+ | 24.30 грн |
| 500+ | 18.63 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 121 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.65 грн |
| 10+ | 61.95 грн |
| 100+ | 33.56 грн |
| 500+ | 23.17 грн |
| 1000+ | 19.49 грн |
| 3000+ | 17.45 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)