Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2343CDS-T1-GE3
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2343cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.12 грн
6000+13.39 грн
9000+12.79 грн
15000+11.37 грн
21000+11.00 грн
30000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SI2343CDS-T1-GE3 за ціною від 15.15 грн до 63.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.67 грн
6000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.79 грн
6000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
549+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.33 грн
30+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.57 грн
11+39.75 грн
50+28.37 грн
100+24.35 грн
500+17.41 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 72193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.35 грн
10+37.66 грн
100+24.43 грн
500+17.58 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY SILXS11685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2343cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 14726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.67 грн
6000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.79 грн
6000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
549+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.33 грн
30+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
469+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.57 грн
11+39.75 грн
50+28.37 грн
100+24.35 грн
500+17.41 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 72193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.35 грн
10+37.66 грн
100+24.43 грн
500+17.58 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SILXS11685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 14726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.