Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2343ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.40 грн
6000+18.12 грн
9000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2343DS-T1-E3 за ціною від 17.34 грн до 113.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.00 грн
6000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.50 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+46.75 грн
364+34.22 грн
500+29.21 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.80 грн
15+50.28 грн
100+36.80 грн
500+30.29 грн
1000+24.21 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2343ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 14204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.30 грн
10+49.73 грн
100+32.48 грн
500+23.53 грн
1000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2343ds.pdf MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
на замовлення 20504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.21 грн
10+69.64 грн
100+39.67 грн
500+30.67 грн
1000+27.71 грн
3000+25.31 грн
6000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2343ds.pdf
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2343ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 86mΩ
Power dissipation: 1.25W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.