SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.59 грн |
| 6000+ | 18.29 грн |
| 9000+ | 17.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2343DS-T1-E3 за ціною від 17.71 грн до 114.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
на замовлення 14204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V |
на замовлення 20504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -15A Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Gate charge: 21nC On-state resistance: 86mΩ Power dissipation: 1.25W Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |