SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.00 грн |
| 6000+ | 16.87 грн |
| 9000+ | 16.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2343DS-T1-E3 за ціною від 19.68 грн до 76.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2343DS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
на замовлення 14204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343DS-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V |
на замовлення 20504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | VISHAY |
|
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.83 грн |
| 6000+ | 19.68 грн |
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.83 грн |
| 6000+ | 19.68 грн |
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 53.05 грн |
| 364+ | 38.84 грн |
| 500+ | 33.14 грн |
| 1000+ | 27.60 грн |
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 67.57 грн |
| 15+ | 53.25 грн |
| 100+ | 38.98 грн |
| 500+ | 32.08 грн |
| 1000+ | 25.65 грн |
| 3000+ | 23.00 грн |
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 14204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.64 грн |
| 10+ | 46.32 грн |
| 100+ | 30.24 грн |
| 500+ | 21.91 грн |
| 1000+ | 19.82 грн |
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
на замовлення 20504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2343DS-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)