SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2343ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2343DS-T1-GE3 за ціною від 18.09 грн до 75.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.24 грн
29+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+35.48 грн
430+34.06 грн
500+32.83 грн
1000+30.62 грн
2500+27.52 грн
5000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2343ds.pdf MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V
на замовлення 20337 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+44.84 грн
10+38.42 грн
100+25.53 грн
500+20.27 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.64 грн
10+44.22 грн
100+28.85 грн
500+20.87 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 VISHAY 2046909.pdf Description: VISHAY - SI2343DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+28.24 грн
29+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
469+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+35.48 грн
430+34.06 грн
500+32.83 грн
1000+30.62 грн
2500+27.52 грн
5000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V
на замовлення 20337 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.84 грн
10+38.42 грн
100+25.53 грн
500+20.27 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.64 грн
10+44.22 грн
100+28.85 грн
500+20.87 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 2046909.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2343DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.