SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Інші пропозиції SI2347DS-T1-BE3 за ціною від 11.51 грн до 42.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2347DS-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2347DS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.8A |
на замовлення 180377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI2347DS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2347DS-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.63 грн |
| 12+ | 25.47 грн |
| 50+ | 18.52 грн |
| 100+ | 15.25 грн |
| 500+ | 11.51 грн |
| SI2347DS-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.8A
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.8A
на замовлення 180377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2347DS-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2347DS-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)