на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2347DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2347DS-T1-GE3 за ціною від 4.14 грн до 36.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V |
на замовлення 55297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 290415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI2347DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |