Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2356DS-T1-BE3
SI2356DS-T1-BE3

SI2356DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2356ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2356DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2356DS-T1-BE3 за ціною від 5.88 грн до 32.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2356DS-T1-BE3 SI2356DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2356ds.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.74 грн
15+22.35 грн
100+13.39 грн
500+11.64 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 SI2356DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2356ds.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 40V 3.2A
на замовлення 101798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.97 грн
15+24.59 грн
100+11.61 грн
500+10.31 грн
1000+9.16 грн
3000+6.26 грн
6000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 SI2356DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2356ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2356ds.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.