SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.76 грн |
| 6000+ | 6.80 грн |
| 9000+ | 6.46 грн |
| 15000+ | 5.70 грн |
| 21000+ | 5.48 грн |
| 30000+ | 5.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2356DS-T1-GE3 за ціною від 5.76 грн до 42.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
на замовлення 43761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23 |
на замовлення 183078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |