Продукція > VISHAY > SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2356DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 372303-7
Price: 19170 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2356DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2356DS-T1-GE3 за ціною від 6.14 грн до 39.06 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V

на замовлення 17517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.30 грн
6000+	6.81 грн
9000+	6.58 грн
15000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.49 грн
6000+	6.94 грн
9000+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.75 грн
9000+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.01 грн
6000+	7.44 грн
9000+	6.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25084 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	11.31 грн
500+	10.34 грн
1500+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V

на замовлення 17530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	30.56 грн
20+	16.30 грн
100+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23

на замовлення 226129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	31.26 грн
27+	13.08 грн
100+	9.54 грн
500+	9.09 грн
1000+	8.70 грн
3000+	6.57 грн
6000+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25084 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
27+	32.46 грн
50+	17.22 грн
100+	11.31 грн
500+	10.34 грн
1500+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	32.55 грн
21+	19.80 грн
26+	15.35 грн
100+	10.74 грн
114+	8.27 грн
313+	7.79 грн
1000+	7.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	39.06 грн
13+	24.68 грн
25+	18.42 грн
100+	12.88 грн
114+	9.93 грн
313+	9.35 грн
1000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2356DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.