Продукція > VISHAY > SI2365EDS-T1-BE3
SI2365EDS-T1-BE3

SI2365EDS-T1-BE3 Vishay

si2365eds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2365EDS-T1-BE3 Vishay

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI2365EDS-T1-BE3 за ціною від 4.15 грн до 32.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2365EDS-T1-BE3 SI2365EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 SI2365EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2365eds.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A
на замовлення 57512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.79 грн
16+21.79 грн
100+11.85 грн
500+8.15 грн
1000+6.95 грн
3000+4.45 грн
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 SI2365EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
17+19.27 грн
100+12.13 грн
500+8.49 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 SI2365EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 67.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.