Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2366DS-T1-BE3
SI2366DS-T1-BE3

SI2366DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2366ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
6000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2366DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2366DS-T1-BE3 за ціною від 8.73 грн до 41.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2366ds.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.40 грн
11+29.42 грн
100+21.59 грн
500+15.40 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2366ds.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 54361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.44 грн
12+30.55 грн
100+18.60 грн
500+14.24 грн
1000+10.79 грн
3000+8.80 грн
6000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2366ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.