Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2366DS-T1-BE3
SI2366DS-T1-BE3

SI2366DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2366ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.37 грн
6000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2366DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2366DS-T1-BE3 за ціною від 9.12 грн до 41.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2366ds.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
11+28.28 грн
100+20.74 грн
500+14.80 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2366ds.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 30V
на замовлення 58412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.63 грн
12+30.46 грн
100+19.79 грн
500+15.08 грн
1000+11.99 грн
3000+9.49 грн
9000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.