на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2366DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2366DS-T1-GE3 за ціною від 10.23 грн до 47.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V |
на замовлення 6837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 14584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |