Продукція > VISHAY > SI2369BDS-T1-GE3
SI2369BDS-T1-GE3

SI2369BDS-T1-GE3 Vishay


si2369bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2369BDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0225 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2369BDS-T1-GE3 за ціною від 7.92 грн до 49.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2369bds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.96 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2369bds.pdf MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 384765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.04 грн
13+26.50 грн
100+13.50 грн
1000+10.79 грн
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2369bds.pdf Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0225 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.92 грн
50+28.82 грн
100+15.56 грн
500+13.15 грн
1500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2369bds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 17262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
11+29.05 грн
100+18.61 грн
500+13.22 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2369bds.pdf SI2369BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.