на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.96 грн |
| 6000+ | 7.88 грн |
| 9000+ | 7.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2369BDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2369BDS-T1-GE3 за ціною від 7.19 грн до 40.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V |
на замовлення 29337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL |
на замовлення 403763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0225 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI2369BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: SOT23 |
товар відсутній |