Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2369BDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +16V, -20V.
Інші пропозиції SI2369BDS-T1-GE3 за ціною від 8.12 грн до 50.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2369BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +16V, -20V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2369BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +16V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 74924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0583 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI2369BDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL |
на замовлення 320717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2369BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.45 грн |
| SI2369BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.52 грн |
| SI2369BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.75 грн |
| 6000+ | 10.35 грн |
| 9000+ | 9.85 грн |
| 15000+ | 8.73 грн |
| 21000+ | 8.42 грн |
| 30000+ | 8.12 грн |
| SI2369BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 74924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.83 грн |
| 10+ | 30.20 грн |
| 100+ | 19.40 грн |
| 500+ | 13.82 грн |
| 1000+ | 12.41 грн |
| SI2369BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0583
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0583
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2369BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 320717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)