Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2369DS-T1-BE3
SI2369DS-T1-BE3

SI2369DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2369d.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.87 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2369DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2369DS-T1-BE3 за ціною від 8.75 грн до 46.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2369DS-T1-BE3 SI2369DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
13+25.37 грн
100+18.61 грн
500+13.24 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3 SI2369DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2369d.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 31999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.52 грн
12+29.36 грн
100+16.85 грн
500+13.02 грн
1000+11.77 грн
3000+9.20 грн
9000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3 Виробник : Vishay nods.pdf 30V 7,6A24m Ohm P-Channel MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf 30V 7,6A24m Ohm P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.