Продукція > VISHAY > SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 Vishay

si2369d.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2369DS-T1-GE3 за ціною від 11.67 грн до 57.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.11 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
9000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+18.58 грн
788+17.91 грн
1000+17.33 грн
2500+16.21 грн
5000+14.61 грн
10000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
471+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.30 грн
25+30.27 грн
26+29.97 грн
100+22.22 грн
250+20.37 грн
500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.97 грн
12+34.89 грн
50+24.94 грн
100+21.59 грн
500+15.65 грн
1000+13.72 грн
1300+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 108446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.87 грн
10+34.94 грн
50+25.61 грн
100+21.18 грн
500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2369d.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 257045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY 2045695.pdf Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.03 грн
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.11 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.84 грн
9000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
760+18.58 грн
788+17.91 грн
1000+17.33 грн
2500+16.21 грн
5000+14.61 грн
10000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
471+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.30 грн
25+30.27 грн
26+29.97 грн
100+22.22 грн
250+20.37 грн
500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.97 грн
12+34.89 грн
50+24.94 грн
100+21.59 грн
500+15.65 грн
1000+13.72 грн
1300+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 108446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.87 грн
10+34.94 грн
50+25.61 грн
100+21.18 грн
500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 257045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 2045695.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.