Продукція > VISHAY > SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 VISHAY

si2369d.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.60 грн
13+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2369DS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm.

Інші пропозиції SI2369DS-T1-GE3 за ціною від 13.17 грн до 76.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2369d.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 186156 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+76.98 грн
10+53.90 грн
100+29.12 грн
500+20.09 грн
1000+16.85 грн
3000+15.12 грн
6000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 44791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 44791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 186156 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.98 грн
10+53.90 грн
100+29.12 грн
500+20.09 грн
1000+16.85 грн
3000+15.12 грн
6000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 44791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 44791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.