Продукція > VISHAY > SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2369DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 27502246-5
Price: 31500.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2369DS-T1-GE3 за ціною від 10.07 грн до 47.75 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V

на замовлення 3692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.46 грн
6000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.64 грн
9000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	12.34 грн
6000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 13594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
760+	16.34 грн
788+	15.75 грн
1000+	15.24 грн
2500+	14.25 грн
5000+	12.84 грн
10000+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

на замовлення 77385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	19.98 грн
500+	11.78 грн
1500+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
471+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 471

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 69971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	33.61 грн
13+	27.88 грн
100+	17.12 грн
500+	13.40 грн
1000+	10.84 грн
3000+	10.15 грн
9000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	42.67 грн
25+	28.52 грн
26+	28.23 грн
100+	20.93 грн
250+	19.19 грн
500+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 90017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	44.92 грн
50+	29.71 грн
100+	22.76 грн
500+	16.05 грн
1500+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V

на замовлення 3699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	47.75 грн
12+	28.64 грн
100+	18.35 грн
500+	13.05 грн
1000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1341 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	46.71 грн
69+	16.65 грн
189+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.