Продукція > VISHAY > SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 Vishay

si2369d.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2369DS-T1-GE3 за ціною від 7.94 грн до 44.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.81 грн
6000+9.51 грн
9000+8.64 грн
15000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.40 грн
6000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.45 грн
9000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.29 грн
6000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
760+16.26 грн
788+15.67 грн
1000+15.16 грн
2500+14.19 грн
5000+12.78 грн
10000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2045695.pdf Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.66 грн
500+11.59 грн
1500+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
471+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 471
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2369d.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 69971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.06 грн
13+27.42 грн
100+16.84 грн
500+13.18 грн
1000+10.67 грн
3000+9.98 грн
9000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.75 грн
17+24.28 грн
50+18.17 грн
69+13.65 грн
189+12.94 грн
500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 20902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.73 грн
13+24.52 грн
100+17.91 грн
500+12.75 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+42.47 грн
25+28.38 грн
26+28.10 грн
100+20.83 грн
250+19.10 грн
500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.10 грн
10+30.26 грн
50+21.81 грн
69+16.38 грн
189+15.52 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2369d.pdf Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.19 грн
50+29.23 грн
100+22.39 грн
500+15.79 грн
1500+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.