Продукція > VISHAY > SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2369DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 27502246-5
Price: 30900.000000000004 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2369DS-T1-GE3 за ціною від 7.06 грн до 45.91 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.50 грн
6000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.56 грн
6000+	9.29 грн
9000+	8.85 грн
15000+	7.83 грн
21000+	7.82 грн
30000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.91 грн
9000+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.24 грн
6000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 13594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
760+	16.03 грн
788+	15.45 грн
1000+	14.95 грн
2500+	13.98 грн
5000+	12.60 грн
10000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

на замовлення 77385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	18.72 грн
500+	11.04 грн
1500+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
471+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 471

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 69971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	31.49 грн
13+	26.12 грн
100+	16.04 грн
500+	12.55 грн
1000+	10.16 грн
3000+	9.51 грн
9000+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V

на замовлення 46203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	36.11 грн
14+	22.83 грн
100+	17.50 грн
500+	12.45 грн
1000+	11.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	36.28 грн
25+	24.25 грн
26+	24.01 грн
100+	17.79 грн
250+	16.31 грн
500+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	38.26 грн
17+	22.53 грн
50+	18.14 грн
69+	13.00 грн
188+	12.25 грн
500+	12.09 грн
1000+	11.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 110344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	40.38 грн
50+	26.54 грн
100+	20.92 грн
500+	15.04 грн
1500+	11.51 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	45.91 грн
11+	28.07 грн
50+	21.77 грн
69+	15.60 грн
188+	14.69 грн
500+	14.51 грн
1000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2369DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.